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這是因為器件的許多電學(xué)和機械性質(zhì)都與它的原子級結構有關(guān)。這就要求原子具有重復性結構,從而使得芯片與芯片之間的性能具有重復性。
在某些情況下,需要硅片有非常純的、與半導體襯底有相同晶體結構的硅表面,還要保持對摻雜類(lèi)型和濃度的控制。這要通過(guò)在硅片表面淀積一層外延層來(lái)實(shí)現
半導體外延定義:外延(epitaxy)是在單晶襯底上生長(cháng)一層單晶膜的技術(shù)。新生單晶層按襯底晶向延伸生長(cháng), 并稱(chēng)此為外延層。長(cháng)了外延層的襯底稱(chēng)為外延片
半導體外延特點(diǎn):
晶體結構良好
摻入的雜質(zhì)濃度易控制
可形成接近突變p—n結
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