石金科技告訴你哪些因素影響管式PECVD 鍍膜的均勻性

經(jīng)過(guò)專(zhuān)業(yè)人員從鍍膜工藝參數設定、硅片制絨面反射率及石墨舟狀態(tài)3 個(gè)方面對管式PECVD 鍍膜均勻性進(jìn)行了研究，結果表明：

      1) 鍍膜過(guò)程中適當降低腔體外層壓力，增加內層氮硅比，降低射頻功率對片內或片間均勻性有所改善。實(shí)驗過(guò)程中，在保證良率的情況下，選擇外層壓力為1700 mTorr、內層氮硅比為4.487、射頻功率為7600 W 時(shí)，調節DLV 優(yōu)化石墨舟各區溫度且定期清理腔體內部碎片可改善鍍膜均勻性。

      2) 在一定范圍內，制絨面反射率增加，膜厚增大，片內均勻性更優(yōu)。

      3) 新石墨舟鍍膜均勻性明顯優(yōu)于舊石墨舟；在新石墨舟使用周期內，運行30 次時(shí)片間均勻性達到最優(yōu)。

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